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DE-101
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Academic theses
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DE-101
22/ger
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1001 $81\p$aGawlina-Schmidl, Yvonne$eVerfasser$4aut
Gawlina-Schmidl, Yvonne
Verfasser
Analyse ioneninduzierter Ausfallmechanismen in hochintegrierten CMOS-Speicherzellen
Analysis of ion induced failure mechanisms in highly integrated CMOS memory cells
Text
München, Technische Universität München, Diss., 2014
Statisches RAM
Statisches RAM
gnd
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DE-588
944850820
DE-101
CMOS-Speicher
CMOS-Speicher
gnd
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DE-588
042787777
DE-101
Soft Error
Soft Error
gnd
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DE-588
1077446799
DE-101
Latch-up-Effekt
Latch-up-Effekt
gnd
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DE-588
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DE-101
Ionenstrahl
Ionenstrahl
gnd
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DE-588
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DE-101
Computersimulation
Computersimulation
gnd
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DE-101
Speicherzelle
Speicherzelle
gnd
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DE-101
CMOS
CMOS
gnd
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DE-588
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DE-101
Bauelement
Bauelement
gnd
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DE-101
Transistor
Transistor
gnd
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DE-101
Energieverlust
Energieverlust
gnd
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DE-101
Statisches RAM
Statisches RAM
gnd
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DE-588
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DE-101
Elektrischer Strom
Elektrischer Strom
gnd
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DE-588
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DE-101
Halbleiterbauelement
Halbleiterbauelement
gnd
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DE-101
Zelle
Zelle
Mikroelektronik
gnd
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DE-588
041219430
DE-101
ELT Elektrotechnik
PHY Physik
(Zielgruppe)Fachpublikum/ Wissenschaft
(Produktform (spezifisch))Unsewn / adhesive bound
Soft Errors
Single Event Latchup
CMOS-Speicherzellen
Hochschulschrift
Hochschulschrift
gnd-content
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DE-588
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DE-101
7001 $82\p$aWachutka, Gerhard$eAkademischer Betreuer$4dgs
Wachutka, Gerhard
Akademischer Betreuer
7001 $83\p$aSilber, Dieter$eAkademischer Betreuer$4dgs
Silber, Dieter
Akademischer Betreuer
2014
München
Universitätsbibliothek der TU München
2014
München: Universitätsbibliothek der TU München; 2014
15,O05
dnb
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DNB106919963X
907776505
Yvonne Gawlina-Schmidl. Gutachter: Gerhard Wachutka ; Dieter Silber. Betreuer: Gerhard Wachutka
Analyse ioneninduzierter Ausfallmechanismen in hochintegrierten CMOS-Speicherzellen
Online-Ressource
Computermedien
Online-Ressource
Archivierung/Langzeitarchivierung gewährleistet
pdager
DE-101
https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:bvb:91-diss-20141105-1071912-1-9
https://d-nb.info/106919963X/34
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kostenfrei