Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: idn=1203296045
Treffer 1 von 1
|
|
| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1203296045 |
| Titel | Semianalytical Threshold Voltage Model of a Double-Gate Nanoscale RingFET for Terahertz Applications in Radiation-Hardened (Rad-Hard) Environments / by Kunal Singh, S. Kumar, P. K. Tiwari, A. B. Yadav, S. Dubey, S. Jit |
| Person(en) |
Singh, Kunal (Verfasser) Kumar, S. (Verfasser) Tiwari, P. K. (Verfasser) Yadav, A. B. (Verfasser) Dubey, S. (Verfasser) Jit, S. (Verfasser) |
| Organisation(en) | SpringerLink (Online service) (Sonstige) |
| Umfang/Format | Online-Ressource : online resource. |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2020012223162278941973 DOI: 10.1007/s11664-019-07411-3 |
| URL | https://doi.org/10.1007/s11664-019-07411-3 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2019 |
| DDC-Notation | 621.381528 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Journal of electronic materials (Bd. 48, 16.7.2019, Nr. 10, date:10.2019: 6366-6371) |
| Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
Treffer 1 von 1
Administration
